（來源：上觀新聞）

此外，在硅（S??i）和硅鍺????（SiG??e）等不同材????料交替??堆疊數(shù)十??????????層到數(shù)百層的結(jié)??構(gòu)中，由于??兩種材料之間晶???♀?格常數(shù)???♂?的微小差異??（晶格失配????） ，會積???累內(nèi)部應(yīng)力??????。這也是垂????????♀?直放置的，它??????連接到背面的中面????板??。“歡迎來????到GTC，我只是????想提醒你這????是個技術(shù)會議…????…我們要?談?wù)劶夹g(shù)，我?????????們要談????談平臺??????。這不僅解決了?????理論上??????的可行性問題，????還帶來了實際應(yīng)????用中的性能優(yōu)勢??。

這些投資旨在確???保訓練??????????和運行AI模型???????????????所需的云計??????算能力???????????。此外，該公司還積????極從大??????規(guī)模計算架構(gòu)的角??度引領(lǐng)封裝尺寸??創(chuàng)新，例如，率???♀?先推出??業(yè)界首款創(chuàng)新型2??????56G??B SOCAMM???2模塊（采用單芯???♂???片LP??DDR5X），????????將內(nèi)存和相關(guān)電???♀???路集成??到單個芯片?上，以克服????AI數(shù)?據(jù)中心在功耗??和密度方面的?限制??。