（來(lái)源：上觀新聞）

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正因如此，基???于IGZO和I?????nGaO????的氧化物半導(dǎo)體材??料，由于其可在低???????????????于550°C的??低溫工藝中沉積且??具有優(yōu)異的耐??熱性，正作為下????一代3D????? DRAM的溝道???材料而備受關(guān)注?。