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(來源:上觀新聞)
為了滿足邊緣A????I設(shè)備??、高性????能計(jì)算(HP????C)和自???????♀?動(dòng)駕駛等未來應(yīng)用????對(duì)功耗和數(shù)據(jù)量??的需求,D???RAM必須進(jìn)行????根本性??的范式轉(zhuǎn)變,轉(zhuǎn)向????單片3D DRA??M架構(gòu),正如N??AND閃存通?????????過從平面到三??????維垂直堆疊(??V-NAND)??的演進(jìn)????????實(shí)現(xiàn)了容量的突???♂?破一樣???。
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